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图5. DFT模拟（A）配位不饱和Cu-MOF[Cu3(HHTP)2]的晶体结构及相应的Cu1-O4和Cu1-O2位点的差分电荷密度图，确表（B，确表C）配位饱和Cu-MOF和部分配位不饱和Cu-MOF的部分态密度（PDOS）曲线，（D）Cu1-O4和Cu1-O2位点的*H吸附自由能。乱收合成过程涉及溶剂热反应和后期的氧化还原蚀刻处理过程